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Power MOSFETFEATURES- Dynamic dV/dt Rating- Repetitive Avalanche Rated- Isolated Central Mounting Hole- Fast Switching- Ease of Paralleling- Simple Drive Requirements- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=5mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mA

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=2mstoff=1ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=0,5mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=2mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=0,5mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mA

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=2mstoff=0,1ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=2mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mA

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=10mstoff=3ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=4mstoff=1ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=10mstoff=3ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=0,5mstoff=0,2ms

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV• Niedriger On-Widerstand• Geringer Off-State-Leckstrom• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-RichtungTechnische MerkmaleSteuerstrom= 50mAton=0,5mstoff=10,2ms

Features• advanced Process Technology• key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications• low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications• low QG for Fast Response• high Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation• short Fall & Rise Times for Fast Switching• 175°C Operating Junction Temperature for Improved Ruggedness• repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability• Class-D Audio Amplifier 300W-500W (Half-bridge)

International Rectifier's third generation HEXFETs use advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This advantage, combined with the fast switching speed and robust device design for which HEXFET power MOSFETs are renowned, provides designers with an extremely efficient and reliable device for use in a wide range of applications. The TO-220 package is generally preferred for all commercial/industrial applications with power dissipation up to approximately 50 watts.The low thermal resistance and low cost of the TO-220 package contribute to its wide acceptance in the industry.Features• dynamic dv/dt assessment• repeated avalanche assessed• fast switching• simple parallel switching• simple drive requirements

Enclosure: SOT-23

HEXFET Power MOSFETDescription:These P-Channel HEXFETPower MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infrared, or wave soldering techniqueFeatures:• Ultra Low On-Resistance• P-Channel MOSFET• Surface Mount• Available in Tape & Reel• Lead-Free